تعداد صفحات: 88
فرمت فایل: word
عنوان صفحه
چکیده ........................................................................................................1
تاریخچه ومقدمه..........................................................................................2
انواع میکروپروسسورها.............................................................................. 4
مقدمه..........................................................................................................6
مختصری راجع به AVR ............................................................................9
خصوصیات Atmega16 ...........................................................................13
ترکیب پایه ها............................................................................................15
فیوز بیت ها................................................................................................16
پورت B ....................................................................................................19
پورت ……………….…………………………………………C 21
پورت …..………………………………………………….….. D23
شماتیک آی سی.........................................................................................26
مادون قرمز.................................................................................................27
شناسایی وتست فرستنده............................................................................28
فرستنده مادون قرمز....................................................................................30
اتصال فرستنده به میکرو..............................................................................30
گیرنده مادون قرمز......................................................................................31
ساختار پایه ای...........................................................................................32
بلوک دباگرام داخلی.....................................................................................33
چگونگی اتصال...........................................................................................33
آی سی 555...............................................................................................37
مدار آستابل با 555......................................................................................38
نحوه کار مدار...............................................................................................40
PCB مدار..................................................................................................42
قطعات لازم................................................................................................43
برنامه آی سی.............................................................................................44
موارد استفاده مدار......................................................................................45
ضمائم........................................................................................................46
تعداد صفحات:47
فرمت فایل:word
چندین دهه از زندگی ابتداییترین رباتها میگذرد. هر ساله فیلمهای بسیاری از همزیستی انسان و ربات اکران میشود که در برخی از آنها رباتها موجودات پر استفاده و خوبی هستند و در بعضی از آنها باعث نابودی بشریت با کره زمین میشوند از تخیلات که بگذریم، هماکنون رباتها سهم بسزایی در پیشبرد اهداف صنعتی بشر دارند و باعث افزایش سرعت تولید، بالا بردن بازدهی و دقت در عملکرد میشوند. ولی یکی از نکات جالب توجه دیگر رباتها ذهن بسیاری از دانشمندان دنیا را تسخیر کرده است.
تصور کنید که در یک وضعیت بسیار خطرناک در یک جای بسیار کثیف و مسموم ماموریتی باید انجام شود؛ طبیعتا کمتر انسانی رغبت به انجام چنین مأموریتهایی دارد زیرا جانش در خطر است و اینجاست که رباتها بار دیگر پا به عرصه حضور میگذارند.
دانشمندان در چندین پروژه عظیم روی ساخت ماشینهای بیسرنشین متمرکز شدهاند که توانایی انجام ماموریتهای هوایی، زمینی و دریایی را داشته باشند. ماموریتهایی که انسانها به سختی انجام میدهند و اگر هم انجام دهند بسیار پر خطر است و کوچکترین اشتباهی باعث از دست دادن جانشان میشود. نمونه چنین رباتهایی هم اکنون در افغانستان و عراق در حال انجام ماموریت هستند.
تعداد صفحات:136
فرمت فایل:word
در گذشته بیشتر ماشین های حمل و نقل از ولتاژ DC ثابت ریل سوم بوسیله درایوهای DC تغذیه
می شدند. موتورها بوسیله کنترل کننده های نوع مقاومتی، که شتاب لازم را برای ماشین فراهم
می کردند، کنترل می شدند. این سیستم ها همچنین شامل ترمز دینامیکی برای کم
کردن شتاب و شامل سیستم های ترمز سایشی جهت پشتیبانی یا تکمیل سیستم های
ترمز دینامیکی می باشند.
ولی امروزه الکترونیک قدرت عامل عمده در بهبود سیستم های محرکه پیشرفته شده است. وجود عناصر نیمه هادی و تولید اینورترها باعث کاهش هزینه های راهبری شده اند. گام اول جایگزینی کنتاکتورها با مقاومت ها و بوسیله یکسو کننده های کنترل شده و چاپرهای DC جهت کنترل توان موتورهای DC بوده است. در گام دوم کاربرد موتورهای قفس سنجابی با پیشرفت اینورترهای با ولتاژ و فرکانس متغیر (VVVF) ممکن شده است. حتی در این زمینه، راه آهن به عنوان پیشگام در سیستم های الکترونیک قدرت شناخته شده است.
سیستم محرکه AC درجه بالایی از ترمز احیا کننده را با مقدار بسیار کم تجهیزات ایجاد می کند. مقدار توان احیا شده به فاکتورهای زیادی از جمله مکان ایستگاه و شدت ترافیک بستگی دارد. مطالعات رایانه ای نشان داده اند که احیای توان در سیستم های محرکه AC ، 40 تا 50 درصد در مقایسه با ماشین های معادل که با کنترل کننده های مقاومتی و ترمز دینامیکی کار می کنند بیشتر می باشد.
در نتیجه در حال حاضر اهداف طراحان، سازندگان و استفاده کنندگان سیستم های تراکشن الکتریکی بر اساس قابلیت اطمینان حداکثر، دسترسی آسان، حداقل سرویس و نگهداری و ... همگی با لوکوموتیوهای مدرن با تراکشن القایی تحقق یافته است. در واقع رسیدن به این هدف ناشی از موارد زیر می باشد
الف) امکان استفاده از موتورهای تراکشن القایی ساده و محکم.
ب) الکترونیک قدرت و کنورترهای مدرن .
پ) کنترل و نظارت میکروپروسسوری قوی و خیلی سریع.
این پایان نامه به بررسی و تحلیل درایوهای تراکشن جریان مستقیم و القایی می پردازد
تعداد صفحات:20
فرمت فایل:word
در جلسه اول به آشنایی IC 89S51 و محیط برنامه پروگرامر و چگونگی برنامه نویسی و چک کردن IC ،campile کردن و write کردن برنامه روی میکرو آشنا شدیم .
همچنین چگونگی مدار راه انداز IC ، تغذیه IC ومدار reset ICرا شناختیم.

در این آزمایش به ساخت یک موج مربعی توسط دستورات SETB و CLR پرداختیم.
این برنامه را روی پایه صفر پورت اول ( P1.0) که پایه شماره 1 IC است ایجاد کردیم.
ORG 00H
LOOP: CLR P1.0
SETB P1.0
SJMP LOOP
END
تعداد صفحات:23
فرمت فایل:word
تغییر سیستمهای مکانیکی و برقی به سیستمهای الکترونیکی روز به روز در
حال افرایش است. در بیشتر تکنولوژیهای عمده، سیستمهای الکترونیکی جایگزین
بخشهای مکانیکی شده و از آن پیش افتادهاند .امروزه چاپ الکترونیکی شده
است. تلویزیون، کامپیوتر و بسیاری از ابزارهای دیگر نیز که در زندگی روزمره
از آن استفاده میکنیم همین گونهاند. سیستمهای الکترونیکی مسلماً بر
تکنولوژی فکری متکی هستند زیرا محاسبات ریاضی و نوشتن نرمافزار و
برنامهها کارکرد آنها را ممکن میگرداند.
یکی از برجستهترین تغییرات، کوچک شدن وسایلی است که هادی برق هستند یا
تکانههای برقی را منتقل میکنند. اختراع ترانزیستور تغییری شگرف را به
دنبال داشت: توانایی تولید وسایل میکروالکترونیک با صدها کارکرد از جمله
کنترل، تنظیم، هدایت و حافظه که میکروپرسسورهاومیکروکنترلرها به اجرا
درمیآورند. در آغاز هر تراشه 4 کیلو بایت حافظه داشت که بعدها به 8، 16،
32، 64 کیلو بایت افزایش یافت و امروزه سازندگان میکروپروسسور تراشههایی
تولید میکنند که ظرفیت ذخیرهسازی آنها چندین مگابایت یا حتی گیگا بایت
است.
تعداد صفحات:98
فرمت فایل: word
عنوان صفحه
فصل اول:
مقدمه..................................................................................................................... 1
فصل دوم : بلوک دیاگرام کلی پروژه
2-1- مدار فرستنده ............................................................................................. 12
2-2- مدار گیرنده ............................................................................................... 12
2-3- بخش کنترل ............................................................................................... 13
2-4- سیستم نمایشگر ......................................................................................... 13
فصل سوم : سنسورهای مافوق صوت
3-1- اثر پیزوالکتریک ......................................................................................... 16
3-2- ترانسدیوسرهای مافوق صوت و مشخصات 400ST/R160................... 17
فصل چهارم : فرستنده مافوق صوت
4-1- نوسان ساز ................................................................................................. 22
4-2- مدار بافر .................................................................................................... 31
4-3- مدار کلید زنی (سوئیچینگ ترانزیستوری )................................................. 35
4-4- رله آنالوگ – دیجیتال ................................................................................ 40
4-5- طراحی مدار بهینه برای فرستنده ................................................................ 42
فصل پنجم : گیرنده مافوق صوت
5-1- تقویت کننده طبقه اول ............................................................................... 46
5-2- فیلتر(میانگذر) با فرکانس مرکزی 40KHZ ............................................. 47
5-3- تقویت کننده طبقه دوم ............................................................................... 49
5-4- مدار تولید پالس منطقی (اشمیت تریگر ).................................................... 50
فصل ششم: بخش کنترل
6-1- خصوصیات میکروکنترلر ATMEGA32 .............................................. 54
6-2- ورودی – خروجی .................................................................................... 57
6-3- منابع کلاک ................................................................................................ 58
6-4- بررسی پورتهای میکروکنترلر ATMEGA32......................................... 61
6-5- برنامه نویسی میکروکنترلر ATMEGA32 ............................................ 68
فصل هفتم: سیستم نمایشگر
7-1- معرفی پین های LCD گرافیکی ............................................................... 74
فصل هشتم : طراحی سیستم های نمایشگر فضای عقب خودرو
8-1- نمایشگر فضای عقب خودرو ..................................................................... 79
8-2- برنامه نهایی میکروکنترلر ........................................................................... 84
فصل نهم : نتیجه گیری و پیشنهادات
نتیجه گیری و پیشنهادات ...................................................................................... 92
منابع و مآخذ
تعداد صفحات:29
فرمت فایل:word
در پزشکی به کمک این فنّاوری، نانوذرّاتی ابداع شده که به توزیع آسان دارو در قسمتهای مختلف بدن کمک میکند. در پوشش زخمهای خاص نظیر زخمهای سوختگی، از برخی نانوذرّات به عنوان عامل ضدمیکروب، ضدالتهاب و التیامبخش استفاده میشود. غذاهای غنیشده نیز بوسیله این فنّاوری تولید شدهاند[5-1] و ....
در حوزۀ نانو مواد، به دلیل اینکه مواد حجیمی که از ترکیبات نانوساختار تشکیل شدهاند از نظر مقاومت در برابر خوردگی، کشسانی و ایمنی در برابر آتش سوزی، مزیّتهای قابل ملاحظهای نسبت به مواد دیگر دارند، دانشمندان به دنبال چنین نانوساختارهای سبک و مقاوم در برابر حرارت هستند که برای هواپیماها، راکتها، ایستگاههای فضایی و .... مورد نیاز میباشند. برای مثال، ساخت موادی که یک ششم چگالی فولاد را دارند ولی مقاومت آنها 50 الی 100 برابر فولاد است، یکی از موفقیّتهای پژوهشگران در این زمینه میباشد[5].
در صنایع الکترونیک، تولید کامپیوترهای سریع موسوم به کامپیوترهای کوانتومی، تراشههای حافظه با اندازه نانو که هزاران برابر تراشههای فعلی قدرت ذخیرهسازی دارند و... مدنظر هستند. شرکت سامسونگ، توسعه نیمی از محصولات ساخته شده توسط این شرکت را به دلیل نوآوریهای ناشی از نانوذرّات نقره میداند[3]. به جرأت میتوان گفت: فنّاوری نانو[2] (NT) به همراه فنّاوری اطلاعات[3] (IT) و پروژه ژنوم انسانی[4] (BT) همزمان شکل دهنده سوّمین انقلاب صنعتی جهان هستند[6-1].
تعداد صفحات:63
فرمت فایل:word
ریزپردازنده وسیله ای است که می توان با دادن فرمان آن را به عملیات مختلف واداشت . یعنی یک کنترل کننده قابل برنامه ریزی است . همه ریزپردازنده ها سه عمل اساسی یکسانی را انجام می دهند : انتقال اطلاعات ، حساب و منطق ، تصمیم گیری ، اینها سه کار یکسان هستند که به وسیله هر ریزپردازنده ، کامپیوتر کوچک یا کامپیوتر مرکزی انجام می شود .
اولین ریزپردازنده تک تراشه ای ، ریزپردازنده Intel 4004 بود که توانست دو عدد 4 بیتی دودویی را جمع کند و عملیات متعدد دیگری را انجام دهد .
4004 با معیارهای امروزی یک وسیله کاملا ابتدایی بود که می توانست 4096 مکان مختلف را آدرس دهد. برای حل این مسئله بود که ریزپردازنده 8 بیتی ( 8008 ) به وسیله شرکت Intel معرفی شد .
Intel 8008:
Intel 8008 توانست اعداد 8 بیتی را ( که بایت نامیده می شوند ) به کار گیرد ، که این خود پیشرفت بزرگی نسبت به 4004 بود . تقریبا در همان زمان گشایشی در ساختن مدارهای منطقی NMOS ( نیمه هادی اکسید فلز از نوع N )پیش آمد . منطق NMOS بسیار سریع تر از PMOS است . به علاوه از یک منبع تغذیه مثبت استفاده می کند که آن را برای اتصال به مدارهای منطقی TTL سازگارتر می کند . خصوصیات مذکور از این جهت دارای اهمیت است که بسیاری از مدارهای جنبی ریزپردازنده از نوع TTL هستند . NMOS سرعت ریزپردازنده را با ضریبی در حدود 25 بار افزایش می دهد که رقم چشمگیری است .
این تکنولوژی جدید در ساختمان ریزپردازنده معروف امروزی یعنی Intel 8080 به کار برده شد .
تعداد صفحات:21
فرمت فایل:word
-1 -تبدیل فوریه :
بدست آوردن طیف فرکانسی موج صوتی در گوش بصورت مکانیکی صورت می گیرد. در ریاضیات با استفاده از تبدیلهای فوریه و در کامپیوتر با استفاده از FFT ( Fast Fourier Transform) این امر صورت میگیرد.
ساختار صوت :
صوت ارتعاشی است که در هوا منتشر می شود. ( یا در محیط های فیزیکی دیگر
به جز خلا ) اغلب صداها در طبیعت طیف فرکانسی مشخصی ندارند و اطلاعات مفید
کمی را شامل می شوند . صداهای با طیف فرکانسی مشخص محتوی اطلاعات بیشتری
هستند . برای شناخت اهمیت فرکانس در صدا باید در مورد نحوه تولید ودریافت
صوت بررسی صورت گیرد. بسیاری از اشیا در زمان نوسان ، امواج صوتی تولید
می کنند . وقتی صحبت می کنیم یا آواز می خوانیم تارهای صوتی به ارتعاش در
می آیند و صدا در گلو دهان و بینی نوسان می کند. آنچه مهم است این است که
تکرار حرکت یک شکل موج باعث تشخیص صوت از نویز می شود . هر صوت فرازو فرودی
دارد . بوسیله فرکانس مشخص می شود که شکل موج به چه صورت تکرار می شود .

روشی که گوش فرکانسهای مختلف را تفکیک می کند جالب توجه است . مبنای آن بر اصل تشدید ( رزونانس ) استوار است . ضربه یک جسم با فرکانس خاص را به ارتفاش وا می دارد. همچنین آن جسم با موج صوتی با فرکانس مشابه شروع به نوسان می کند . به عنوان مثال اگر به یک لیوان شیشه ای ضربه وارد کنیم صدایی از آن متصاعد می شود . اگر سعی کنیم همان صدا را تولید کنیم و لیوان را در معرض آن قرار دهیم لیوان شروع به ارتعاش می کند . مولکولهای هوا که توسط ارتعاشات صوتی مرتعش شده اند سطح لیوان را دچار فشار و کشش می کنند . هنگامی که این کشش وفشارهای کوچک منطبق با فرکانس طبیعی لیوان باشند می توانند لیوان را تحریک به نوسان کنند.
در گوش تشدید در داخلی ترین بخش گوش که حلزون گوش نامیده می شود اتفاق میافتد . قسمتهای مختلف این بخش حلزونی شکل با فرکانسهای مختلف نوسان می کنند. وقتی یک قسمت خاص از حلزون گوش شروع به تشدید می کند گیرنده های عصبی که در آنجا قرار دارند سیگنال را دریافت می کنند و آنرا به مغز می فرستند .
اغلب صداها به یکباره در مناطق مختلف حلزون گوش تشدید ایجاد میکنند که این صداها بصورت مختلط شنیده می شود.
تعداد صفحات:76
فرمت فایل:word
فهرست مطالب
عنوان : صفحه
فصل 1 : قطعات مدار
1-1 : دیود 1N4007 .............................................................................................................................. 2
2-1 : ترانزیستور BC547 ...................................................................................................................... 5
3-1 : آپ امپ LM324 .......................................................................................................................... 13
4-1 رگولاتور ولتاژ LM7812 ............................................................................................................... 30
فصل 2 : کارکرد مدار
1-1 : نحوه عملکرد مدار............................................................................................................................... 42
1-1-2 : تحلیل عملی مدار......................................................................................................................... 42
2-1-2 : نحوه عملکرد پل دیودی.............................................................................................................. 44
2-2 : تحلیل تئوری مدار.............................................................................................................................. 45
فصل سوم :پیوست ها
1-3 : اطلاعات کاتالوگی دیود 1N4007 ........................................................................................... 49
2-3: اطلاعات کاتالوگی ترانزیستور BC 547 ................................................................................... 51
3-3 : اطلاعات کاتالوگی آپ امپ LM 324 .................................................................................... 55
4-3: اطلاعات کاتالوگی رگلاتور ولتاژ LM7812 ............................................................................. 67
فهرست جداول
عنوان صفحه
جدول 1-1-1 : ماکزیمم مقادیر مجاز ................................................................................................... 3
جدول 2-1-1 : مشخصات الکتریکی........................................................................................................ 4
جدول 3 -1- 1 : ابعاد قطعه...................................................................................................................... 4
جدول 1-2-1 : مقادیر ماکزیمم مطلق.................................................................................................... 5
جدول 2-2-1 : مشسخصات الکتریکی ................................................................................................... 6
جدول 3-2-1 : پارامترهای h به ازای چند IC مختلف.................................................................... 8
جدول 4-2-1 : پارامترهای h در
،
،
........... 9
جدول 1-3-1 : رمزهای دستور................................................................................................................. 15
جدول 2-3-1 مقادیر ماکزیمم مطلق....................................................................................................... 15
جدول 3-3-1 : خواص الکتریکی.............................................................................................................. 16
جدول 1-4-1 : ویژگی های الکتریکی..................................................................................................... 32
فهرست اشکال
عنوان صفحه
شکل مدار محافظ وسایل برقی ................................................................................................................... 41
شکل 1-1-1 : شکل فیزیکی قطعه.......................................................................................................... 2
شکل 2-1-1 : ابعاد قطعه............................................................................................................................ 4
شکل 1-2-1 : شکل فیزیکی قطعه.......................................................................................................... 5
شکل 2-2-1 اندازه گیری لرزش نویز...................................................................................................... 6
شکل 3-2-1 : مشخصات عمومی در
............................................................................. 8
شکل 1-3-2-1 : بهره جریان DC نسبت به جریان کلکتور........................................................... 8
شکل 2-3-2-1 : VBE و VCE نسبت به جریان کلکتور............................................................ 9
شکل 4-2-1 : مشخصات عمومی (
مگر این که مورد خاصی باشد )...................... 9
شکل 1- 4-2-1 : مشخصات خروجی امیتر مشترک......................................................................... 9
شکل 2- 4-2-1 : تولید بهره جریان باند وسیع نسبت به جریان کلکتور..................................... 10
شکل 3- 4-2-1 : جریان قطع کلکتور نسبت به دمای محیط......................................................... 10
شکل 4- 4-2-1 : پارامترهای h نسبت به جریان کلکتور................................................................ 11
شکل 5- 4-2-1 : ولتاژ نویز معادل در بیس نسبت به جریان کلکتور........................................... 11
شکل 6- 4-2-1 : الگوی نویز باند پهن نسبت به جریان کلکتور..................................................... 12
شکل 1-3-1 : انواع مختلف این آی سی بر حسب فشردگی اتصالات........................................... 13
شکل 2-3-1 : اتصالات پین ( نمای بالایی ).......................................................................................... 14
شکل 3-3-1 : نمودار شماتیک از 4/1 آی سی.................................................................................. 15
شکل 4-3-1 : جریان بایاس ورودی در برابر دمای محیط................................................................. 18
شکل 5-3-1 : محدود کننده جریان........................................................................................................ 19
شکل 6-3-1 : دامنه ولتاژ ورودی............................................................................................................. 19
شکل 7-3-1 : جریان تغذیه....................................................................................................................... 19
شکل 8-3-1 : حاصلضرب بهره در پهنای باند....................................................................................... 20
شکل 9-3-1 : نسبت پس زنی مد مشترک........................................................................................... 20
شکل 10-3-1 : پاسخ فرکانسی حلقه باز............................................................................................... 20
شکل 11-3-1 : پاسخ فرکانسی سیگنال بزرگ.................................................................................... 21
شکل 12-3-1 : پاسخ پالسی ولتاز پیرو.................................................................................................. 21
شکل 13-3-1 : ویژگی های خروجی ( خوردن جریان ).................................................................. 21
شکل 14-3-1 : پاسخ پالسی ولتاز پیرو.................................................................................................. 22
شکل 15- 3-1 : ویژگی های خروجی ( جریان دهی )..................................................................... 22
شکل 16-3-1 : جریان ورودی.................................................................................................................. 22
شکل 17-3-1 : بهره ولتاژ.......................................................................................................................... 23
شکل 18-3-1 : منبع تتغذیه و نسبت پس زنی مد مشترک.......................................................... 23
شکل 19-3-1 : بهره ولتاژ سیگنال بزرگ.............................................................................................. 23
شکل 20-3-1 : کاربردهای معمول تک منبع...................................................................................... 24
شکل 1-20-3-1 : آمپلی فایر وارونگر جفتی AC .......................................................................... 24
شکل 2-20-3-1 : آمپلی فایر غیر وارونگر جفتی AC .................................................................. 24
شکل 21-3-1 : کاربردهای معمول تک منبع...................................................................................... 25
شکل 1-21-3-1 : بهره DC غیر وارونگر............................................................................................ 25
شکل 2-21-3-1 : آمپلی فایر جمع DC............................................................................................ 25
شکل 3-21-3-1 : آمپلی فایر ابزاری DC امپدانسی با تنظیم بهره ورودی بالا....................... 26
شکل 4-21-3-1 : آشکار ساز قله با رانش پایین................................................................................ 26
شکل 22-3-1 : کاربرد آمپلی فایرهای متقارن برای کاهش جریان ورودی ( مفهوم کلی )..... 26
شکل 23-3-1 : کاربردهای معمول تک منبع...................................................................................... 27
شکل 1-23-3-1 : فیلتر میان گذرنده فعال کننده............................................................................ 27
شکل 2-23-3-1 : آمپلی فایر DC امپدانسی با ورودی بالا........................................................... 27
شکل 24-3-1 : فاز و بهره ولتاژ در برابر فرکانس................................................................................ 28
شکل 25-3-1 : داده های مکانیکی بسته (بسته دور دهی ، 14 پین پلاستیکی ).................. 28
شکل 26-3-1 : دادههای مکانیکی بسته(میکرو پکیج 14پینی پلاستیکی با عملکرد تدریجی)............................... 28
شکل 27-3-1 : داده های مکانیکی بسته (بسته فشرده کوچک نازک 14 پینی ).................. 29
شکل 1-4-1 : نمودارهای اتصال............................................................................................................... 31
شکل 1-1-4-1 : بسته پلاستیکی........................................................................................................... 31
شکل 2-1-4-1 : بسته استوانه ای فلزی آلومینیومی........................................................................ 31
شکل 2-4-1 : نمای شماتیک.................................................................................................................... 31
شکل 3-4-1 : ویژکی های معمول عملکردی....................................................................................... 34
شکل 1-3-4-1 : بیشینه متوسط اتلاف نیرو....................................................................................... 34
شکل 2-3-4-1 : بیشینه متوسط اتلاف نیرو....................................................................................... 34
شکل 3-3-4-1 : ولتاژ خروجی ( بهنجار شده به ازای
)............................................. 35
شکل 4-3-4-1 : جریان قله خروجی...................................................................................................... 35
شکل 5-3-4-1 : پس زنی موجک........................................................................................................... 36
شکل 6-3-4-1 : پس زنی موجک........................................................................................................... 36
شکل 7-3-4-1 : امپدانس خروجی......................................................................................................... 36
شکل 8-3-4-1 : ولتاژ رهایی.................................................................................................................... 37
شکل 9-3-4-1 : ویژگی های رهایی....................................................................................................... 37
شکل 10 -3-4-1 : جریان خاموشی...................................................................................................... 37
شکل 11-3-4-1 : جریان خاموشی........................................................................................................ 38
شکل 4-4-1 : ابعاد فیزیکی : اینچ ( میلیمتر ) مگر این که واحد دیگری ذکر شود................. 39
شکل 5-4-1 : ابعاد فیزیکی : اینچ ( میلیمتر ) مگر این که واحد دیگری ذکر شود................. 39