ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | 2 | 3 | ||||
4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
سلولهای خورشیدی
کریستال سیلیکون سی-اس آی
سی-اس آی، اصلیترین ماده تجاری در تولید سلولهای
خورشیدی است و به اشکال مختلفی استفاده می شود: سیلیکون های تک کریستالی ،
سیلیکون های چند کریستالی و سیلیکون لایه نازک .تکنیکهای مرسوم برای تولید
کریستالین سیلیکون شامل : روش چوکرالسکی، روش محدوده شناور و روشهای دیگری
نظیر ریختهگری می باشد. زدودن ناخالصیها از سیلیکون اهمیت بسیاری دارد.
این عمل با کمک تکنیکهایی چون منفعل سازی سطح ( با تابش هیدروژن به یک سطح )
و گترینگ ( یک روش شیمیایی که با حرارت دادن ناخالصیها را از سیلیکون
بیرون می کشد ) صورت می پذیرد .با اینکه سلولهای خورشیدی با سیلیکون
کریستالی ، از سال 1954 وجود داشته اند ، ابتکاری جدید رو به گسترش دارد .
سلولهای جدیدی همچون ( ای دبلیو تی ) ، ( سیس ) از این دسته اختراعات نو
هستند .
سلولهای خورشیدی با لایه نازک
این نوع سلولها از لایه های بسیار نازک مواد نیمه هادی استفاده می کنند که ضخامت آنها چند میکرومتر است